ડાયઈલેક્ટ્રીકની અસર અને ધ્રુવીભવન PYQ: JEE Mains Physics પ્રશ્નો

54 માંથી 1–50 પ્રશ્નો

1. 1. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર \(0.885\) mm છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેનો અવકાશ \(1\times 10^{13}\,\Omega\)m અવરોધકતા અને \(17.7\times 10^{14}\,\Omega\) અવરોધવાળા અવાહક દ્રવ્યથી ભરેલો હોય છે, ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ \(1\,\mu\)F છે. અવાહક દ્રવ્યની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી \(\alpha\times 10^7\) છે. \(\alpha\) નું મૂલ્ય ________ છે. (શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી \(=8.85\times 10^{-12}\) F/m લો) 2026 અઘરું
2. 2. C કેપેસિટન્સ (કોઈપણ ડાઈઈલેક્ટ્રિક વગર) ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા હવે \(K _1=2, K_2=3\) અને \(K _3=5\) ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળા ત્રણ ડાઈઈલેક્ટ્રિક સ્લેબથી ભરેલી છે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ). જો નવી કેપેસિટન્સ \(\frac{ n }{3} C\) હોય, તો \(n\) નું મૂલ્ય ___________.
   2026 મધ્યમ
3. 3. એક સમાંતર પ્લેટ કૅપેસિટરનું કૅપેસિટન્સ C છે, જ્યારે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે શૂન્યાવકાશ હોય છે.
   એક શીટ કે જેની જાડાઈ પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના \(\left(\frac{1}{3}\right)^{ rd }\) ભાગની છે અને જેની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી K છે, તેને પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્રની નવી કૅપેસિટન્સ કેટલી થશે : 2026 મધ્યમ
4. 4. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર 5 mm ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને બેટરી વડે ભારિત કરવામાં આવે છે. 2 mm જાડાઈની અબરખની પરતને દાખલ કરતા અને પ્લેટના જોડાણને બેટરીના છેડા વચ્ચે જાળવી રાખતા, એવું જણાય છે કે તે બેટરીમાંથી 25% વધુ ભાર ખેંચે છે. અબરખનો ડાયઇલેક્ટ્રીક અચળાંક __________ છે. 2026 સરળ
5. 5. સાચાં વિધાનોને ઓળખો :
   A. કેપેસીટરોના શ્રેણી સંયોજનનું અસરકારક કેપૈસીટન્સ હંમેશા કેપેસીટરના ન્યૂનતમ મૂલ્ય કરતાં પણ ઓછું હોય છે.
   B. કેપેસીટરની ભારિત પ્લેટો વચ્ચે ડાયઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ રાખવામાં આવે ત્યારે ભારોનું ડાયઈલેક્ટ્રીકના અવાહક ગુણધર્મને લીધે સ્થાનાંતર થઈ શકતું નથી.
   C. કેપેસીટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ વધારવું અથવા ડાયઈલેક્ટ્રીક ની જાડાઈ ઘટાડવી એ કેપેસીટન્સ વધારવા માટેની વૈકલ્પિક પધ્ધતિ છે.
   D. બિંદુભાર માટે, ભારના સ્થાને કેન્દ્રિત થયેલ સમકેન્દ્રીય ગોળીય કવચ સમસ્થિતિમાન પૃષ્ઠો છે.
   નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો ઉત્તર પસંદ કરો : 2026 મધ્યમ
6. 6. ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર્સ, પ્રત્યેક A ક્ષેત્રફળ અને d અંતર સાથે, નીચે દર્શાવ્યા પ્રમાણે બે ડાઈઇલેક્ટ્રિક ( \(k _1\) અને \(k _2\) ) થી ભરેલા છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે? \(\left( k _1> k _2\right)\)
   2026 સરળ
7. 7. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ, \(\mathrm{C}_1, \mathrm{C}_2\) અને \(\mathrm{C}_3\) દરેક \(5 \mu \mathrm{~F}\) કેપેસિટન્સ ધરાવતા ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર્સ જોડેલા છે. જ્યારે \(C_1\) કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનો અવકાશ 4 ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે, ત્યારે A અને B બિંદુઓ વચ્ચેની અસરકારક કેપેસિટન્સ છે :
   2025 સરળ
8. 8. એક \(40 \mu \mathrm{~F}\) કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટર 100 V પાવર સપ્લાય સાથે જોડેલ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની મધ્યવર્તી જગ્યા \(\mathrm{K}=2\) ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઇઇલેક્ટ્રિક દ્રવ્યથી ભરવામાં આવે છે. ડાઇઇલેક્ટ્રિક દ્રવ્ય દાખલ કરવાને કારણે, કેપેસિટરમાં અનુક્રમે વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિતિઊર્જામાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે? 2025 મધ્યમ
9. 9. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બે ડાઇઇલેક્ટ્રિકથી સમાન રીતે (અડધું) ભરેલું છે, જેના ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક \(\varepsilon_1\) અને \(\varepsilon_2\) છે, જે આકૃતિઓમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર d છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ A છે. જો પ્રથમ ગોઠવણી અને બીજી ગોઠવણીમાં કેપેસિટન્સ અનુક્રમે \(C_1\) અને \(C_2\) હોય, તો \(\frac{C_1}{C_2}\) શું છે?
   
   2025 અઘરું
10. 10. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પર \(5 \times 10^{-6} \mathrm{C}\) વિદ્યુતભાર છે. પ્લેટોની વચ્ચે એક ડાઈઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે અને તે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા લગભગ સંપૂર્ણપણે ભરી દે છે. જો સ્લેબની એક સપાટી પર પ્રેરિત વિદ્યુતભાર \(4 \times 10^{-6} \mathrm{C}\) હોય, તો સ્લેબનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ________ છે. 2025 મધ્યમ
11. 11. \(10 \mu \mathrm{F}\) કેપેસિટન્સ ધરાવતું એક કેપેસિટર, જેની પ્લેટો હવા દ્વારા \(10 \mathrm{~mm}\) દ્વારા અલગ પડેલી છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(4 \mathrm{~cm}^2\) છે, તેને હવે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ અનુક્રમે \(\mathrm{K}_1=2, \mathrm{~K}_2=3\) ના બે ડાઇઇલેક્ટ્રિક માધ્યમોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચે નવું બળ \(8 \mathrm{~N}\) હોય તો સપ્લાય વોલ્ટેજ _______ \(\times 10^{-4}\)Vછે.
    2024 અઘરું
12. 12. \(12.5 \mathrm{pF}\) સંધારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટર (સંધારક)ને બે પ્લેટો વચ્ચે \(12.0\) વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત સાથે એક બેટરી થકી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને ડાયઇલેકટ્રીક યોસલા \(\left(\epsilon_{\mathrm{r}}=6\right)\) ને પ્લટોની વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. ડાયઇલેકટ્રીક ચોસલાને દાખલ કર્યા બાદ સ્થિતિઊર્જામાં ફેરફાર _______ \(\times 10^{-12}\) \(J\) હશે. 2024 અઘરું
13. 13. બે પ્લેટ વચ્ચે \(5 \mathrm{~mm}\) અંતર ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે \(2 \mathrm{~mm}\) જાડાઈનો ડાયઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે ત્યારે કેપેસીટર બેટરી માંથી \(25 \%\) જેટલો વધારાનો વિદ્યુતભાર મેળવે છે. તો આ ડાયઈલેકક્ટ્રીક સ્લેબનો ડાયઈલેકિટ્રિક અચળાંક _______ છે. 2024 અઘરું
14. 14. બે સમાન વિદ્યુતભારીત ગોળાઓ સમાન લંબાઈની દોરીઓ વડે લટકાવવામાં આવે છે. દોરીઓ એકબીજા સાથે \(\theta\) કોણ બનાવે છે. જ્યારે પાણીમાં લટકાવવામાં આવે છે, ત્યારે કોણ તેટલો જ રહે છે. જો ગોળાના દ્રવ્યની ઘનતા \(1.5 \mathrm{~g} / \mathrm{cc}\) હોય, તો પાણીનો ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક _______ થશે. (પાણીની ઘનતા \(=1 \mathrm{~g} / \mathrm{cc}\) લો) 2024 અઘરું
15. 15. એક કેપેસિટરમાં હવા પરાવૈદ્યુત માધ્યમ તરીકે છે અને \(12 \mathrm{~cm}^2\) ક્ષેત્રફળવાળી બે સુવાહક પ્લેટો \(0.6 \mathrm{~cm}\) દૂર રાખેલી છે. જ્યારે \(12 \mathrm{~cm}^2\) ક્ષેત્રફળ અને \(0.6 \mathrm{~cm}\) જાડાઈનો પરાવૈદ્યુત સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે, ત્યારે કેપેસિટન્સને અગાઉના કિસ્સા જેટલું જ રાખવા માટે એક સુવાહક પ્લેટને \(0.2 \mathrm{~cm}\) ખસેડવી પડે છે. સ્લેબનો પરાવૈદ્યુત અચળાંક _______ છે. (આપેલ છે \(\left.\epsilon_0=8.834 \times 10^{-12} \mathrm{~F} / \mathrm{m}\right)\) 2024 અઘરું
16. 16. સમાન લંબાઈની દોરીઓ વડે બે એકસમાન વિદ્યુતભારિત ગોળાઓને લટકાવવામાં આવેલા છે. દોરીઓ એકબીજા સાથે \(37^{\circ}\) નો કોણ બનાવે છે. જ્યારે \(0.7 \mathrm{~g} / \mathrm{cm}^3\) ની ઘનતા ધરાવતા પ્રવાહીમાં અંદર લટકાવવામાં આવે છે ત્યારે કોણ સમાન રહે છે. જો ગોળાના દ્રવ્યની ઘનતા \(1.4 \mathrm{~g} / \mathrm{cm}^3\) હોય તો પ્રવાહીનો ડાઈઇલેકિટ્રક અચળાંક _______ થશે. \(\left(\tan 37^{\circ}=\frac{3}{4}\right)\) 2024 અઘરું
17. 17. \(A\) પ્લેટના ક્ષેત્રફળ તથા \(d\) તકતી વચ્યેનું અલગીકરણ દર્શાવતા એક સમાંતર તકતી વાળા સંગ્રાહકમાં \(K=4\) પરાવિદ્યુતાંક ધરાવતા પરાવિદ્યુત વસ્તુ ભરેલી છે. પરાવિદ્યુત વસ્તુની જાડાઈ \(x\) છે, જ્યા \(x < d\). ધારો કે \(C _1\) અને \(C _2\) એ તંત્રની સંગ્રાહકતા \(x=\frac{1}{3} d\) અને \(x=\frac{2 d}{3}\) માટે અનુક્રમે છે. જો \(C _1=2 \mu F\) તો \(C _2\) કિમત \(........\mu F\) છે.
    2023 અઘરું
18. 18. બે પ્લેટ વચ્યે હવા ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ \(15\,pF\) છે. જો પ્લેટ વચ્યેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તમમાં \(3.5\) ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક અચળાંકનુ માધ્યમ દાખલ કરવામાં આવે તો કેપેસીટન્સનું મૂલ્ય \(\frac{x}{4} pF\) થાય છે. તો \(x\) નું મૂલ્ય \(..........\) છે. 2023 મધ્યમ
19. 19. એક સમાંતર પ્લેટો ધરાવતા સંધારકમાં પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(40\,cm ^2\) અને તેમની વચ્યેનું અંતર \(2\,mm\) છે. પ્લેટો વચ્યેના વિસ્તારમાં \(1\,mm\) જાડાઈ અને \(5\) જેટલો ડાઈઈલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતો અવાહક મૂકવામાં આવે છે. તંત્રની સંધારકતા \(...........\) થશે. 2023 મધ્યમ
20. 20. જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે \(d\) જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ \(5\,\mu\,F\) છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે \(1.5\) ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ \(\frac{d}{2}\) જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ \(..........\mu F\) થાય. 2023 મધ્યમ
21. 21. \(30 \pi \,cm ^{2}\) જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને  જેમની વચ્ચે \(1 \;mm\) જેટલું અંતર હોય તેવી બે તક્તિની મદદ થી એક સમાંતર પ્લેટ સંધારક બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે \(3.6 \times 10^{7} \;Vm ^{-1}\) જેટલી ડાયઈલેક્ટ્રિક પ્રબળતતા (strength) ધરાવતું દ્રવ્ય ભરવામાં આવે છે. ડાયઈલેટ્રિક બ્રેકડાઉન ના થાય તે રીતે સંધારક ઉપર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિધુતભાર જો \(7 \times 10^{-6}\; C\) હોય, તો પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક મૂલ્ય........હશે. \(\left[\frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}}=9 \times 10^{9} Nm ^{2} C ^{-2}\right] \) નો ઉપયોગ કરો 2022 મધ્યમ
22. 22. \(4\,cm\) જેટલી પ્લેટોની પહોળાઈ, લંબાઈ \(8\,mm\), અને બે પ્લેટો વરચેનું અંતર \(4\,mm\) હોય તેવા સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને \(20\,V\) ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. \(5\) જેટલો ડાયઈલેક્ટિક્ર અચળાંક ધરાવતો અને \(1\,cm\) લંબાઈ, \(4\,cm\) પહોળાઈ અને \(4\,mm\) જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમને સંઘારકની પ્લેટોની વરચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્ર માટે સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જા \(........\varepsilon_0 J\) થશે.(જ્યાં \(\varepsilon_0\) શુન્યાવકાશની પરમીટીવીટી છે) 2022 મધ્યમ
23. 23. \(A\) જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર \(d =2 \,m\) ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા \(4 \,\mu F\) છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને \(K =3\) જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા .........  \( \mu F\) થશે.
    2022 અઘરું
24. 24. બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થો અને જુદી-જુદી જડાઈ ( \(t _1\) અને \(\left.t _2\right)\) ના બનેલું એક સંયુક્ત સમાંતર પ્લેટ સંઘારક આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. બે જુદા-જુદા ડાયઈલેક્ટ્રિક પદાર્થોને એક સુવાહક પાતળા સ્તર \((foil)\) \(F\) વડે છૂટા પાડેલા છે. સુવાહક \(foil\) નો વોલ્ટેજ \(............V\) હશે.
    2022 અઘરું
25. 25. \(C\) અને \(3C\) સંધારકતા ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ સંધારકોને સમાંતરમાં જોડવામાં આવ્યા છે અને \(18\,V\)ના સ્થિતિમાનના તફાવતથી તેમને વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને \(C\) સંધારકતા ધરાવતા સંધારકની પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યામાં \(9\) જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક વચ્ચેનો અંતિમ સ્થિતિમાનનો તફાવત \(\dots\dots\,V\)છે. 2022 અઘરું
26. 26. દર્શાવ્યા અનુસાર \(V\) જેટલો સ્થિતિમાનનો તફાવત ધરાવતા ઉદગમને બે એક સમાન સંધારકો સાથે જોડવામાં આવેલ છે. જ્યારે કળ ' \(K\) ' બંધ હોય છે, ત્યારે આ સંયોજન સમાંતર સંગ્રહિત કુલ ઊર્જા \(E_1\) છે. હવે કળ ' \(K\) ' ને ખોલવામાં આવે છે અને \(5\) જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક અચળાંક ધરાવતા ડાયઈલેકટ્રીક માધ્યમને સંધારકોની પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ સંયોજનને સમાંતર સંગ્રહ પામતી કુલ ઊર્જા હવે \(E_2\) થાય છે. ગુણોત્તર \(E_1 / E_2 \ldots\) થશે.
    2022 અઘરું
27. 27. દરેક \(40 \,\mu F\) ના બે સંઘારકોને શ્રેણીમાં જોડવામાં આવેલા છે. બે માંથી કોઈ એક સંઘારકને \(K\) જેટલા ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ઘરાવતા અવાહક વડે એવી રીતે ભરવામાં આવે છે કે જેથી તંત્રની સમતુલ્ય સંઘારકતા \(24 \,\mu F\) થાય. \(K\) નું મૂલ્ય ......... હશે. 2022 મધ્યમ
28. 28. એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકને \(10\) જેટલો ડાયઈલેક્ટિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમ થી ભરવામાં આવે છે અને બેટરી સાથે જોડી વીજભારિત કરવામાં આવે છે. આ ડાયઈલેક્ટ્રિક ચોસલાને બીજા \(15\) ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ઘરાવતા ચોસલા વડે બદલવામાં આવે છે. તો સંધારકમાં ઊર્જા ............ 2022 અઘરું
29. 29. \(K\) જેટલો ડાયઈલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યના બનેલા એક યોસલાને, સમાંતર પ્લટો ધરાવતા સંધારકની પ્લેટો જેટલું જ ક્ષેત્રફળ છે, અને તેની જાડાઈ \(\frac{3}{4}\) d, જેટલી છે, જયાં \(d\) એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. જ્યારે પ્લેટોની વચ્ચે યોસલાને દાખલ કરવામાં આવશે ત્યારે સંધારકતા કેટલી થશે ? ( \(C _0=\) જયારે સંધારકની પ્લેટો વચ્યેનું માધ્યમ હવા હોય, ત્યાર ની સંધારકતા.) 2022 અઘરું
30. 30. \(100\, m ^{2}\) ક્ષેત્રફળ અને \(10\, m\) બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતાં સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર છે,તેમાં \(5\,m\)માં ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક \(10\) ધરાવતા ડાઇઇલેક્ટ્રીક મુક્તા નવા કેપેસિટન્સ \('x'\) \(pF\) હોય તો \('x'=.......\) 2021 અઘરું
31. 31. \(2 {C}\) અને \({C}\) જેટલુ કેપેસીટર ધરાવતા બે કેપેસીટન્સને સમાંતરમાં જોડી \(V\) જેટલા સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરી \(C\) કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને \(K\) જેટલો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણ પણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસીટરનો સમાંતર સ્થિતિમાનનો તફાવત ............ થશે. 2021 મધ્યમ
32. 32. \(200 \,\mu {F}\) ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને \(200 \, {V} \) ની બેટરી સાથે જોડેલ છે. બેટરીને જોડેલી રાખીને \(2\) ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રિકને બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરની વિદ્યુતઊર્જામાં થતો ફેરફાર (\(J\) માં) કેટલો હશે? 2021 અઘરું
33. 33. બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર \(d\) ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં \(\frac{3}{4} d\) જાડાઈ અને \(K\) ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે તો નવો કેપેસીટન્સ \((C')\) અને જૂના કેપેસીટન્સ \(\left( C _{0}\right)\) વચ્ચેનો સંબંધ શું થશે? 2021 મધ્યમ
34. 34. દર્શાવેલ આકૃતિમાં, સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક (માધ્યમના) સંયોજન બનાવીને એક કેપેસીટર રચવામાં આવેલ છે. આ રીતે બનાવેલ કેપેસીટરના કેપેસીટન્સનું સૂત્ર ......... થશે.  (પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(=A\) છે)
    2021 મધ્યમ
35. 35. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના \(A\) પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી \(d\) જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. \(\frac A2\)ક્ષેત્રફળ અને \(\frac d2\) જાડાઈ ધરાવતા બે \({K}_{1}\) અને \({K}_{2}\) ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?
    2021 અઘરું
36. 36. એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારક (કેપેસીટર) સંરચનામાં, સંઘારકની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(2 \,m ^{2}\) અને તેમની વચ્ચેનું અંતર \(1\, m\) છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા \(0.5\, m\) જાડાઈ અને \(2\, m ^{2}\) ક્ષેત્રફળ ધરાવતા (આકૃત્તિ જુઓ) ડાયઈલેક્ટ્રિક (અવાહક) પદાર્થ દ્વારા ભરવામાં આવે તો આ સંરચનાની સંઘારતા (કેપેસીટન્સ) ...... .........\(\, \varepsilon_{0}\) થશે. (પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક \(=3.2\)) (નજીકત્તમ પૂર્ણાંકમાં ગણો)
    2021 અઘરું
37. 37. જો \({q}_{{f}}\) એ કેપેસિટર પ્લેટો પરનો મુક્ત વિદ્યુતભાર અને \({q}_{{b}}\) એ કેપેસિટર વચ્ચે મૂકવામાં આવેલા ડાઇલેક્ટ્રિક અચળાંક \(k\) ના ડાઇલેક્ટ્રિક ચોચલા પરનો બાઉન્ડ ચાર્જ હોય, તો બાઉન્ડ ચાર્જ \(q_{b}\) ને કઈ રીતે દર્શાવાય? 2021 અઘરું
38. 38. પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(A\) એને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર \(d\) ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ડાઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે. કેપેસિટરની ક્ષમતા શું હશે જ્યારે ડાઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે પ્રમાણે બદલાય. \(\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k x, \text { for }\left(0\,<\,x \leq \frac{d}{2}\right)\) \(\varepsilon(x)=\varepsilon_{0}+k(d-x)\), for \(\left(\frac{d}{2} \leq x \leq d\right)\) 2021 અઘરું
39. 39. એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ \(l\) અને પહોળાઈ \(w\) અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર \(d\) છે. તેને \(V\) \(emf\) ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. \(d\) જાડાઈ અને \(k =4\) ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય? 2020 અઘરું
40. 40. સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં \(A\) આડછેડનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટોને એકબીજાથી \(d\) અંતરે મૂકેલી છે.તેમની વચ્ચે ડાઈઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક \(\mathrm{k}(\mathrm{x})=\mathrm{K}(1+\alpha \mathrm{x})\) મુજબ ફરે છે. જ્યાં \(\mathrm{x}\) એ એક પ્લેટથી અંતર છે.જો \((\alpha \text {d)}<<1,\) હોય તો તંત્રનું કુલ કેપેસીટન્સ ક્યાં સૂત્ર વડે આપી શકાય? 2020 અઘરું
41. 41. \(12\,pF\) કેપેસિટન્સ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એક બેટરી વડે તેની બે પ્લેટો વચ્ચે \(10\, V\) વિજસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરીને એક પોર્સેલિનના ચોસલા કે જેનો પરાવૈધૃતાંક (dielectric constant) \(6.5\) છે તેને આ બે પ્લેટો વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. આ કેપેસિટર વડે ચોસલા પર કેટલા .......\(pJ\) કાર્ય થશે? 2019 અઘરું
42. 42. \(a\) બાજુવાળી ચોરસ પ્લેટોને \(d\) અંતરે રાખી એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે \((d < < a)\) અને આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે અવાહક એવી રીતે ભરવામાં આવે છે કે જેથી નીચેનો ત્રિકોણ \(K\) જેટલા પરાવૈદ્યુતાંક \((dialectric)\) ધરાવતા અવાહકથી ભરેલો છે. આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ __________ છે.
    2019 અઘરું
43. 43. બે હવા ભરેલા ભરેલા \(C\) અને \(nC\) કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને \(V\) વોલ્ટની બેટરી સાથે સમાંતરમાં જોડેલા છે.જ્યારે કેપેસીટર સંપૂર્ણ રીતે ચાર્જ થાય ત્યારે બેટરી દૂર કરીને પહેલા કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે \(K\) ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે છે.હવે આ તંત્રનો નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થાય? 2019 અઘરું
44. 44. બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ \(C\) જેમની પ્લેટના આડછેડનું ક્ષેત્રફળ \(A\) અને તે \(d\) અંતરે છે .આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ત્રણ સમાન જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક જેના ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક \(K_1\) , \(K_2\) અને \(K_3\) ને ભરેલા છે. આ બંને કેપેસીટર પર સમાન વૉલ્ટેજ \(V\) લગાવવામાં આવે તો તેમાં સંગ્રહ થતી ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
    2019 અઘરું
45. 45. ચોરસ પ્લેટના એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર પરાવૈદ્યુત દ્રવ્ય કે જેમના પરાવૈદ્યુતાંક \(K_1, K_2,K_3, K_4\) છે. તેમનાથી આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલ છે. અસરકારક પરાવૈધૃતાંક \(K\) _____ હશે.
    2019 અઘરું
46. 46. એક સમાંતર પ્લેટ કે પેસિટરનું ક્ષેત્રફળ \(6\, cm^2\) અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર \(3\,mm\) છે. \(K_1 =10, K_2 =12, K_3 =14\) જેટલો પરાવૈધૃતાંક (ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક) ધરાવતા અને સમાન જાડાઇ ધરાવતા અવાહક પદાર્થની મદદથી બે પ્લેટો વચ્ચેના ગેપને ભરવામાં આવે છે (આકૃતિ જુઓ). જ્યારે અવાહકને પૂર્ણ તરીકે કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે અને જો સમાન કેપેસિન્ટસ (સંઘારક્તા) મળે તો પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે.
    2019 અઘરું
47. 47. સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની વૉલ્ટેજ રેટિંગ \(500\,V\) છે. તેનું ડાયઈલેક્ટ્રિક મહત્તમ \({10^6}\,\frac{V}{m}\) જેટલું વિદ્યુતક્ષેત્ર ખમી શકે.પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ \(10^{-4}\, m^2\) છે. જો કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ \(15\, pF\) હોય તો તેનો ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે ? ( \({ \in _0} = 8.86 \times {10^{ - 12}}\,{C^2}\,/N{m^2}\)) 2019 અઘરું
48. 48. \(90\) \( pF\) જેટલું સંઘારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને \(20\) \(V\) \(emf\) ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે.\(K = \frac{5}{3}\) જેટલો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતા ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને સંઘારકની બે પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે.પ્રેરિત વીજભારનું માન _______\(n \) \(C\) થશે. 2018 મધ્યમ
49. 49. આપેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના તંત્રને અમુક વિદ્યુતસ્થિમાનના તફાવત વચ્ચે મુકેલ છે. જ્યારે \(3\, mm\) જાડાઈ ધરાવતા બ્લોકને કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે મૂકવામાં આવે ત્યારે તંત્રમાં સમાન વિદ્યુતસ્થિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે પ્લેટ વચ્ચેના અંતરમાં \(2.4\, mm\) જેટલો વધારો કરવામાં આવે છે. તો બ્લોકના દ્રવ્યનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?
    2017 અઘરું
50. 50. બે ગોળાકાર તકતીઓને \(5\) \(mm \) અંતરે રાખી તેમની વચ્ચે \(2.2\) ડાયઇલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતો અવાહક મૂકો.એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરર્સ બનાવવામાં આવે છે.જયારે અવાહકનું વિદ્યુતક્ષેત્ર \(3 \times 10^4\) \( Vm^{-1}\) હોય,ત્યારે ધન પ્લેટ (તકતી) ની વિદ્યુતભાર ઘનતા લગભગ _______ હશે. 2014 મધ્યમ

આ પેજ પર આ ફિલ્ટર મુજબ કોઈ પ્રશ્ન નથી. ફિલ્ટર હટાવો