P-n જંક્શન અને ડાયોડ PYQ: JEE Mains Physics પ્રશ્નો

42 માંથી 1–42 પ્રશ્નો

1. 1. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ, એક કેપેસિટર (\(20\ \mu\)F), એક રોધક (\(100\ \Omega\)) અને બે સમાન ડાયોડ ધરાવતા પરિપથનો વિચાર કરો. ફોરવર્ડ બાયસિંગ સ્થિતિમાં ડાયોડનો અવરોધ \(10\ \Omega\) છે. પરિપથનો સમય અચળાંક \(\alpha \times 10^{-3}\) s છે. \(\alpha\) નું મૂલ્ય _____
   2026 મધ્યમ
2. 2. નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એક પ્રતિજ્ઞા A તરીકે અને બીજું કારણ R તરીકે લેબલ કરેલું છે.
   
   પ્રતિજ્ઞા A: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ નાનો પ્રવાહ આપે છે જે વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જ્યાં સુધી એક નિર્ણાયક મર્યાદા ન આવે ત્યાં સુધી, જેના પર પ્રવાહ નાટકીય રીતે વધે છે.
   
   કારણ R: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાથી નીચે, ફક્ત બહુમતી ચાર્જ વાહકો વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજથી ઉપર નાટકીય રીતે વધે છે.
   
   નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો 2026 મધ્યમ
3. 3. એક સેમિકન્ડક્ટર p-n ડાયોડમાં, p-બાજુ અને n-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે \(10^{15}\text{ atoms/cm}^3\) અને \(10^{18}\text{ atoms/cm}^3\) છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? 2026 મધ્યમ
4. 4. આકૃતિમાં દર્શાવેલ પરિપથ આકૃતિનો અભ્યાસ કરો. નીચેનામાંથી કયા અવલોકનો સાચા છે?
   A. પરિપથનો કુલ અવરોધ \(6 \Omega\) છે
   B. એમ્મીટરમાં પ્રવાહ 1 A છે
   C. \(A B\) વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાન 4 વોલ્ટ છે.
   D. CD વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાન 4 વોલ્ટ છે
   E. પરિપથનો કુલ અવરોધ \(8 \Omega\) છે.
   નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:
   2025 મધ્યમ
5. 5. નીચે દર્શાવેલ પરિપથમાં બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો છે?
   2025 સરળ
6. 6. નીચેના પૈકી કયો પરિપથ ફોરવર્ડ બાયસ કરેલા ડાયોડને દર્શાવે છે?
   
   
   નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો ઉત્તર પસંદ કરો : 2025 સરળ
7. 7. નીચેના પરિપથમાં આઉટપુટ વોલ્ટેજ કેટલો છે? (આદર્શ ડાયોડનો કિસ્સો ધ્યાનમાં લો)
   2025 મધ્યમ
8. 8. આપેલ આકૃતિમાં દર્શાવેલ નેટવર્કનો પરિણામી અવરોધનું મૂલ્ય _______ છે.
   2024 અઘરું
9. 9. ભાર અવરોધ \(\left(R_L\right)\) ને સમાંતર વોલ્ટેજ _______ છે.
   2024 અઘરું
10. 10. આપેલ પરિપથમાં બેટરીમાથી વહેતા વિદ્યુતપ્રવાહ \((I).............\) થશે.
    2023 મધ્યમ
11. 11. નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. એકને કથન \(A\) અને બીજાને કારણ \(R\) થી દર્શાવવામાં આવ્યા છે. ક્થન \((A)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ  કરતા વધારે હોય, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. Reason \(R:\) Diffusion current in a \(p-n\) junction is from the \(n\)-side to the \(p\)-side if the junction is forward biased. કારણ \((R)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહ \(n\) બાજુથી \(p\) બાજુ સુધીનો હોય છે, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. ઉપરોક્ત વિધાનોમાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો. 2023 મધ્યમ
12. 12. નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. જે પૈકી એકનું કથન \(A\) અને બીજાનું કારણ \(R\) તરીકે લેબલ કરવામાં આવે છે. કારણ \(A\) : પ્રકાશની તીવ્રતાના માપન માટે ફોટો ડાયોડને વિશેષમાં રીવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં વાપરવામાં આવે છે.  કારણ \(R : p-n\) જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહનું મૂલ્ય રીવર્સ બાયસ સ્થિતિ કરતા વધારે હોય છે. ઉપરના કથનના સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી વધુ બંધ બેસતો જવાબ પસંદ કરો. 2023 મધ્યમ
13. 13. નીચે બે વિધાનો આપેલા છેઃ એકને કથન \(A\) અને બીજાને કારણ \(R\) વડે રજૂ કરેલ છે. કથન \(A\): પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે સામાન્ય રીત ફોટોડાયોડને ફોરવર્ડ-બાયસ સ્થિતિમાં વાપરવામાં આવે છે. કારણ \(R\): \(P-n\) જંકશન ડાયોડ માટે, આપેલ વોલ્ટેજ \(V\) માટે, ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ કરતાં વધારે હીય છે. જ્યાં| \(V _{ z }|>\pm V \geq| V _0 \mid\) અહીયા \(v_0\) એ શ્રેસોલ્ડ વોલ્ટેજ અને \(v_z\) એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે. ઉપરના વિધાનોના સંદર્ભમાં નીચે આપેલા વિકલ્પેમાંથી સૌથી વધુ બંધ બેસતો જવાબ પસંદ કરો. 2023 મધ્યમ
14. 14. નીચે મુજબ બે કથન આપેલ છે. કથન \(I\) : જ્યારે \(Si\) નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે \(P\) પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે \(N\)-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી \(P-\)પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને \(N-\)પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે. કથન \(II\) : જયારે \(P-\)પ્રકાર અને \(N-\)પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે. ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો. 2023 મધ્યમ
15. 15. નીચેના પરિપથમાં પ્રત્યેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ \(25\,\Omega\) છે. નીચેના વિકલ્પોમાથી ક્યો વિકલ્પ સાચો છે?
    2023 મધ્યમ
16. 16. આપેલ પરિપથ મુજબ, બેટરીમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ .............. \(A\) હશે.
    2022 મધ્યમ
17. 17. બે આદર્શ ડાયોડને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા અનુસાર જોડવામાં અવેલા છે.\(A\) અને \(B\) વચ્ચેનો અસરકારક અવરોધ \(.......\Omega\) થશે.
    2022 મધ્યમ
18. 18. એક \(p-n\) જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસ સ્ચિતિમાં \(I-V\) લાક્ષણિક્તા આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. લગાવેલા ફોરવર્ડ બાયસ વોલ્ટેન અનુક્રમે \(2 \,V\) અને \(4 \,V\) ને આનુષાંગિક ગત્યાત્મક અવરોધોનો (dynamic resistance) ગુણોત્તર ......... થશે.
    2022 મધ્યમ
19. 19. ઇલેકટ્રીકલ ધટકોમાંથી ડાયોડને શોધવા માટે મલ્ટીમીટરનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, તો નીચેનામાંથી સાયું વિધાન પસંદ કરો. 2022 મધ્યમ
20. 20. \(p-n\) જંકશનમાં પોટેન્શીયલ બેરીયર \(0.6\,V\) છે. \(6 \times 10^{-6}\,m\) જાડાઈ ધરાવતા ડીપ્લેશન વિસ્તારમાં ઈલેક્ટ્રિક ક્ષેત્રની તીવ્રતા \(..........\times 10^5 N / C\) હશે. 2022 સરળ
21. 21. \(p-n\) જંકશનને સમાંતર. \(0.4 \,V\) સ્થિતિમાન વિભવ મળે છે. \(n\)- બાજુથી એક ઈલેકટ્રોન જંકશનમાં \(6.0 \times 10^{5} \,ms ^{-1}\) ની ઝડપથી દાખલ થાય છ. \(p\) બાજુમાં દાખલ થતા ઈલેકટ્રોનની ઝડપ \(\frac{x}{3} \times 10^{5} ms ^{-1}\) છે; તો \(x\) =.............. ( ઈલેકટ્રોનનું દળ = \(9 \times 10^{-31} \,kg\) ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર \(=1.6 \times 10^{-19} \,C\) આપેલ છે.) 2022 અઘરું
22. 22. ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડોનો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ \(0.6\,V\) છે. (આફૃતિ જુઓ). \(40 \,\Omega\) ના અવરોધમાંથી .......... \(mA\) નો પ્રવાહ વહેશે.
    2022 મધ્યમ
23. 23. આકૃતિમાં ફોરવર્ડ બાયસની લાક્ષણિક્તા દર્શાવેલ છે, તો \({I}_{{D}}=3 \,{mA}\) પ્રવાહે અવરોધ (\(\Omega\) માં) કેટલો હશે?
    2021 મધ્યમ
24. 24. આકૃતિમાં રહેલ દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસનો અવરોધ \(30\, \Omega\) અને રિવર્સ બાયસનો અવરોધ અનંત છે. પ્રવાહ \({I}_{1}\) (\(A\) માં) કેટલો હશે?
    2021 અઘરું
25. 25. એવી પરિસ્થિતિ લો કે જેમાં \(P-N\) જંકશનનો રિવર્સ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તે \(\le 621\, {nm}\) તરંગલંબાઈના પ્રકાશના સંપર્કમાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન, હોલ-ઈલેક્ટ્રોન જોડના નિર્માણના કારણે વાહકની સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય (\({eV}\) માં) લગભગ કેટલું હશે? 2021 મધ્યમ
26. 26. \(p-n\) જંક્શન ડાયોડમાં ઝેનર બ્રેકડાઉન ત્યારે થાય છે જ્યારે \(p\) અને \(n\) બંને ....... . 2021 મધ્યમ
27. 27. સીધો (ફોરવર્ડ) અવરોધ \(50\, \Omega\) તેમજ અનંત ઉલટ (રિવર્સ) અવરોધ ધરાવતાં બે ડાયોડ પરિપથમાં દર્શાવ્યા છે. જે બેટરીનો વોલ્ટેજ \(6\ V\) હોય તો \(120\, \Omega\) અવરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ .......... \(mA\) હશે.
    2021 અઘરું
28. 28. સૂચી - \(I\) અને સૂચી- \(II\) સાથે મેળવો.

    સૂચી - \(I\)	સૂચી -\(II\)
    \((a)\) રેક્ટિફાયર	\((i)\) \(a.c.\) વોલ્ટેજ ને સ્ટેપ-અપ અથવા સ્ટેપડાઉન કરવા માટે ઉપયોગ થાય છે.
    \((b)\) સ્ટેબીલાઈઝર	\((ii)\) \(a.c.\) વોલ્ટેજનું \(d.c.\) વોલ્ટેજમાં રૂપાંતરણ કરવા માટે થાય છે.
    \((c)\) ટ્રાન્સફોર્મર	\((iii)\) રેક્ટિફાયર આઉટપુટ વોલ્ટેજ માંથી \(a.c.\) ઘટક (રીપલ) દૂર કરવા માટે થાય છે.
    \((d)\) ફિલ્ટર	\((iv)\) ઈનપુટ વોલ્ટેજ અથવા લોડ પ્રવાહ બદલાતાં રહેતો હોય તો પણ અચળ આઉટપુટ વોલ્ટેજ માટે ઉપયોગ થાય છે.

    આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો 2021 મધ્યમ
29. 29. \(X\) અને \(Y\) ને સમાંતર એક \(5\, V\) ની બેટરી જોડવામાં આવેલ છે. \(D_1\) અને \(D_2\) એક સામાન્ય સિલિકોન ડાયોડ છે તેમ ધારો. જે બેટરીનો ધન છેડો બિંદૂ \(X\) સાથે જોડેલો હોય તો બેટરી દ્વારા પૂરો પડાતો વિધુતપ્રવાહ ..........\(A\)
    2021 મધ્યમ
30. 30. આપેલ પરિપથમાં બિંદુ \(A\) અને બિંદુ \(B\) વચ્ચે વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલા ........\(V\) મળે?
    2020 મધ્યમ
31. 31. આપેલ પરિપથમાં પ્રવાહ \(i\) કેટલા .....\(A\) હશે?
    2020 મધ્યમ
32. 32. જ્યારે ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે વૉલ્ટેજ \(0.5\, V\) છે,ડાયોડનો સુરક્ષિત પ્રવાહ \(10\, mA\) છે.ડાયોડને \(1.5\, V\) ની બેટરી સાથે જોડવામાં માટે તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવો પડતો અવરોધ \(.....\Omega\) 2020 મધ્યમ
33. 33. પરિપથમાં દર્શાવેલ બંને ડાયોડ આદર્શ છે અને જ્યારે તે ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડાયેલા હોય ત્યારે તેનો અવરોધ અવગણ્ય છે.દરેક ડાયોડનો મૂળભૂત વૉલ્ટેજ (પોટેન્શિયલ બેરિયર) \(0.7\; \mathrm{V}\) છે. પરિપથમાં દર્શાવેલ ઈનપુટ વૉલ્ટેજ માટે બિંદુ \(A\) નો વૉલ્ટેજ (\(Volts\) માં) કેટલો હશે?
    2020 મધ્યમ
34. 34. \(t=0\) સમયે બે સમાન કેપેસીટર \(\mathrm{A}\) અને \(\mathrm{B}\) ને સમાન \(5\;V\) સાથે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે જોડેલા છે.\(\mathrm{t}=\mathrm{CR}\) સમયે \(\mathrm{A}\) અને \(\mathrm{B}\) કેપેસીટર પર વિજભાર \(\mathrm{Q}_{\mathrm{A}}\) અને \(\mathrm{Q}_{\mathrm{B}}\) હોય તો .... 
    2020 મધ્યમ
35. 35. નીચે આપેલ પરિપથ બે આદર્શ ડાયોડ ધરાવે છે. જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ \(50\,\Omega \) છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ \(6\,V\) હોય તો \(100\,\Omega \) ના વિરોધમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે.
    2019 મધ્યમ
36. 36. સિલિકોન \(Si\)  અને જર્મેનિયમ \( Ge\)  ડાયોડના કટ-ઇન વોલ્ટેજ અનુક્રમે \(0.7 V \) અને \(0.3 V\)  છે.જર્મેનિયમ ડાયોડને ઉલટાવવાથી \(V_o\) માં કેટલા ....\(V\) ફેરફાર થાય?
    2019 અઘરું
37. 37. આપેલ પરિપથમાં સિલિકોન ડાયોડ માટે એમિટરનું અવલોકન ______\(mA\)
    2018 મધ્યમ
38. 38. ડાયોડ માટે \(V-I\) લાક્ષણિકતા નીચે દર્શાવેલ છે. તો ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસના અવરોધનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
    2017 અઘરું
39. 39. અનબાયસ \(n-p\) જંકશનમાં ઇલેક્ટ્રોનનું \(n-\) વિભાગથી \(p-\) વિભાગમાં પ્રસરણ થાય છે કારણ કે... 2015 સરળ
40. 40. પરિપથમાં દર્શાવેલ \(AB\) ને \(2\,V\) ની બેટરી સાથે જોડેલ છે.એક કિસ્સામાં જ્યારે બેટરીનો ધન ધ્રુવ \(A\) સાથે અને બીજા કિસ્સામાં જ્યારે બેટરીનો ધન ધ્રુવ \(B\) સાથે જોડેલો હોય ત્યારે તેમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ અનુક્રમે કેટલો હશે?
    2015 મધ્યમ
41. 41. ડાયોડનું પ્રવાહ સ્યિતિમાન સમીકરણ \(I=(e^{1000V/T} -1)mA\) છે.જયાં વાયુ પાડેલ વિદ્યુતસ્થિતિમાન \(V\) વોલ્ટમાં અને તાપમાન \(T\) \(K\) માં છે.જો વિદ્યાર્થી \(300\) \(K\) તાપમાને \(5\) \(mA\) વિદ્યુતપ્રવાહની માપણી દરમિયાન \( \mp \) \(0.01\) \(V\) ની ત્રુટિ કરે,તો પ્રવાહની માપણીમાં થતી ત્રુટિ \(mA\) માં કેટલી હશે? 2014 મધ્યમ
42. 42. આપેલ પરિપથમાં ત્રણ સમાન ડાયોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવેલ છે. દરેક ડાયોડનો ફોરવોર્ડ અવરોધ \(20\,\Omega \) અને રિવર્સ બાયસનો અવરોધ અનંત છે. અવરોધ \(R_1 = R_2 = R_3 = 50\,\Omega\) અને બેટરીનો વૉલ્ટેજ \(6\,V\) છે. તો \(R_3\) માંથી કેટલા \(mA\) નો પ્રવાહ પસાર થશે?
    2013 મધ્યમ

આ પેજ પર આ ફિલ્ટર મુજબ કોઈ પ્રશ્ન નથી. ફિલ્ટર હટાવો