ExamBro
ExamBro
enEnglishguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. એકને કથન \(A\) અને બીજાને કારણ \(R\) થી દર્શાવવામાં આવ્યા છે. ક્થન \((A)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ  કરતા વધારે હોય, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. Reason \(R:\) Diffusion current in a \(p-n\) junction is from the \(n\)-side to the \(p\)-side if the junction is forward biased. કારણ \((R)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહ \(n\) બાજુથી \(p\) બાજુ સુધીનો હોય છે, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. ઉપરોક્ત વિધાનોમાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

  1. A \((A)\) અને \((R)\) બંને સાચાં છે અને \((R)\) એ \((A)\) ની સાચી સમજણ આપે છે.
  2. B \((A)\) અને \((R)\) બંને સાચાં છે અને \((R)\) એ \((A)\) ની સાચી સમજણ આપતું નથી.
  3. C \((A)\) સાયું છે પણ \((R)\) ખોટું છે.
  4. D \((A)\) ખોટું છે પણ \((R)\) સાચું છે.
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(C) \((A)\) સાયું છે પણ \((R)\) ખોટું છે.

Step-by-step Solution

Detailed explanation

In forward biased condition, diffusion of majority charge carriers takes place from \(p\)-side to \(n\)-side which constitute the diffusion current.
Same subject
Explore more questions on app
From JEE Mains
Explore more questions on app