ExamBro
ExamBro
enEnglishguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - સેમિકન્ડક્ટર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ : દ્રવ્યો, રચનાઓ અને સાદા પરિપથો
  • JEE Mains 2023
  • મધ્યમ
  • MCQ

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. એકને કથન \(A\) અને બીજાને કારણ \(R\) થી દર્શાવવામાં આવ્યા છે. ક્થન \((A)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહનું મૂલ્ય ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ  કરતા વધારે હોય, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. Reason \(R:\) Diffusion current in a \(p-n\) junction is from the \(n\)-side to the \(p\)-side if the junction is forward biased. કારણ \((R)\) : \(p-n\) જંકશનમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહ \(n\) બાજુથી \(p\) બાજુ સુધીનો હોય છે, જો જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. ઉપરોક્ત વિધાનોમાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

જવાબ ચકાસવા માટે એક વિકલ્પ પસંદ કરો.
ચકાસાયેલ ઉકેલ

જવાબ અને ઉકેલ

સાચો જવાબ

(C) \((A)\) સાયું છે પણ \((R)\) ખોટું છે.

પગલાવાર ઉકેલ

વિગતવાર સમજૂતી

In forward biased condition, diffusion of majority charge carriers takes place from \(p\)-side to \(n\)-side which constitute the diffusion current.
એ જ વિષય
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ
JEE Mains માંથી
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ