ExamBro
ExamBro
enEnglishhiहिन्दीguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

નીચે મુજબ બે કથન આપેલ છે. કથન \(I\) : જ્યારે \(Si\) નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે \(P\) પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે \(N\)-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી \(P-\)પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને \(N-\)પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે. કથન \(II\) : જયારે \(P-\)પ્રકાર અને \(N-\)પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે. ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.

  1. A બંંને કથન \(I\) અને કથન \(II\) ખોટા છે.
  2. B કથન \(I\) ખોટું છે. પણ કથન \(II\) સાચું છે.
  3. C બંંને કથન \(I\) અને કથન \(II\) સાચાં છે.
  4. D કથન \(I\) સાચું છે. પણ કથન \(II\) ખોટું છે.
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(D) કથન \(I\) સાચું છે. પણ કથન \(II\) ખોટું છે.

Step-by-step Solution

Detailed explanation

Statement\(-I\) is correct When \(P-N\) junction is formed an electric field is generated form \(N\)-side to \(P\)-side due to which barrier potential arises \& majority charge carrier can not flow through the junction due to barrier potential so current is \(zero\) unless we…
Same subject
Explore more questions on app
From JEE Mains
Explore more questions on app