ExamBro
ExamBro
enEnglishhiहिन्दीguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - સેમિકન્ડક્ટર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ : દ્રવ્યો, રચનાઓ અને સાદા પરિપથો
  • JEE Mains 2023
  • મધ્યમ
  • MCQ

નીચે મુજબ બે કથન આપેલ છે. કથન \(I\) : જ્યારે \(Si\) નમૂનામાં બોરોનનું ડોપિગ કરવામાં આવે ત્યારે તે \(P\) પ્રકારનો અને આર્સેનિકનું ડોપિગ કરવામાં આવ ત્યારે \(N\)-પ્રકારનો અર્ધવાહક બને છે કે જેથી \(P-\)પ્રકારમાં વધારાના હોલ અને \(N-\)પ્રકારમાં વધારાના છલેકટ્રોન હોય છે. કથન \(II\) : જયારે \(P-\)પ્રકાર અને \(N-\)પ્રકારના અર્ધવાહકોનું જંકશન બનાવવા માટે જોડાણ કરવામાં આવે છે, આપમેળે પ્રવાહનું વહન થાય છે જેની પરખ એમિટરના બાહય જોડાણ દ્રારા થાય છે. ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્મમાં, નીયે આાપેલ વિકલ્યોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.

જવાબ ચકાસવા માટે એક વિકલ્પ પસંદ કરો.
ચકાસાયેલ ઉકેલ

જવાબ અને ઉકેલ

સાચો જવાબ

(D) કથન \(I\) સાચું છે. પણ કથન \(II\) ખોટું છે.

પગલાવાર ઉકેલ

વિગતવાર સમજૂતી

Statement\(-I\) is correct

When \(P-N\) junction is formed an electric field is generated form \(N\)-side to \(P\)-side due to which barrier potential arises \& majority charge carrier can not flow through the junction due to barrier potential so current is \(zero\) unless we apply forward bias voltage.

એ જ વિષય
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ
JEE Mains માંથી
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ