નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન A અને બીજાને કારણ \(\mathrm{R}\) તરીકે લેબલ કરેલ છે.
વિધાન A: પ્રકાશવિદ્યુત અસરમાં, આપતિત પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી અવરોધક સ્થિતિમાન વધે છે.
કારણ R: પ્રકાશની તીવ્રતામાં વધારો, ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો દર વધારે છે, જો આપતિત પ્રકાશની આવૃત્તિ દેહલી આવૃત્તિ કરતાં વધારે હોય.
ઉપરોક્ત વિધાનોના આધારે, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

જવાબ ચકાસવા માટે એક વિકલ્પ પસંદ કરો.

ચકાસાયેલ ઉકેલ

જવાબ અને ઉકેલ

સાચો જવાબ

(B) વિધાન \(\mathrm{A}\) ખોટું છે, પરંતુ કારણ \(\mathrm{R}\) સાચું છે.

પગલાવાર ઉકેલ

વિગતવાર સમજૂતી

\(\mathrm{V}_{\mathrm{S}}=\frac{\mathrm{hv}-\phi}{\mathrm{e}}\)
આથી અવરોધક સ્થિતિમાન તીવ્રતા પર આધાર રાખતું નથી.
\(\mathrm{I}=\frac{\eta \mathrm{hv}}{\mathrm{~A}}\)
તીવ્રતા વધારવાથી પ્રતિ સેકન્ડ ફોટોનની સંખ્યા \(n\) વધે છે, તેથી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પણ વધે છે.

એ જ વિષય

એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ

JEE Mains માંથી

એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ