JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics
उस स्थिति पर विचार कीजिए जिसमें किसी विशेष \(P - N\) संधि की उत्क्रमित बायस धारा \(\leq 621 nm\) तरंगदैर्ध्य के प्रकाश में रखने पर बढ़ जाती है। इस प्रक्रिया में प्रकाश के होल-इलेक्ट्रॉन युगलों के जनन के कारण वाहक सान्द्रता में संवद्धि होती है। बैण्ड-अन्तराल का निकटतम मान होगा। (\(eV\) मे)
- A \(1\)
- B \(4\)
- C \(2\)
- D \(0.5\)
Answer & Solution
Correct Answer
(C) \(2\)
Step-by-step Solution
Detailed explanation
Band gap \(=\frac{h c}{\lambda_{0}}\) Where \(\lambda_{0}=\) threshold wavelength Band gap \(=\frac{1242\, {ev}-\,{nm}}{621\, {nm}}=2\, {ev}\)
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B. अेमीटर में धारा 1 A है।
C. \(A B\) के सिरों पर विभवांतर 4 वोल्ट है।
D. CD के सिरों पर विभवांतर 4 वोल्ट है।
E. परिपथ का कुल प्रतिरोध \(8 \Omega\) है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनिए:
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