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JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

किसी ट्रांजिस्टर को उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में जोड़ा गया है। संग्राही स्त्रोत वोल्टेज का मान \(10\; V\) है ओर उत्सर्जक परिपथ में \(1000 \Omega\) प्रतिरोध में क्षय वोल्टता का मान \(0.6 \;V\) है। यदि धारा लब्धि गुणांक \(\dots\mu A\) होगा। (निकटतम पूर्णाक में)

  1. A \(5\)
  2. B \(10\)
  3. C \(25\)
  4. D \(30\)
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(C) \(25\)

Step-by-step Solution

Detailed explanation

\(\beta=\frac{ I _{ C }}{ I _{ B }}=24\) \(R _{ C }=1000\) \(\Delta V =0.6\) \(I _{ C }=\frac{0.6}{1000}\) \(I _{ C }=6 \times 10^{-4}\) \(I _{ B }=\frac{ I _{ C }}{\beta}=\frac{6 \times 10^{-4}}{24}=25 \mu A\)
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