ExamBro
ExamBro
JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

उभयनिष्ट उत्सर्जक (CE) अभिविन्यास में, एक ट्रान्जिस्टर के दिए हुए अंतरण अभिलक्षण से \(R_B=10 \mathrm{k} \Omega\) एवं \(\mathrm{R}_{\mathrm{C}}=1 \mathrm{k} \Omega\) के लिए, इस अभिविन्यास की शक्ति \(10^x\) प्राप्त होती है। \(x\) का मान________________है।

  1. A \(6\)
  2. B \(9\)
  3. C \(3\)
  4. D \(12\)
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(C) \(3\)

Step-by-step Solution

Detailed explanation

Power gain \(\Rightarrow A _{ V } \cdot A _1= B \frac{ R _{ C }}{ R _{ B }} \cdot B = B ^2 \frac{ R _{ C }}{ R _{ B }}\) \(=\left(\frac{(20-10) \times 10^{-3}}{(200-100) \times 10^{-6}}\right) \times \frac{1 \times 10^3}{10 \times 10^3}=10^3\) Hence \(x =3\)
Same subject
Explore more questions on app
From JEE Mains
Explore more questions on app