ExamBro
ExamBro
enEnglishhiहिन्दीguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

એક પ્રકાશ ઉત્સર્જક ડાયોડ \((LED)\) GaAs અર્ધવાહક દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે, જેનો બેન્ડ ગેપ \(1.42 \mathrm{eV}\) છે. \(LED\) માંથી ઉત્સર્જિત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ _______ છે.

  1. A \(650 \mathrm{~nm}\)
  2. B \(1243 \mathrm{~nm}\)
  3. C \(875 \mathrm{~nm}\)
  4. D \(1400 \mathrm{~nm}\)
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(C) \(875 \mathrm{~nm}\)

Step-by-step Solution

Detailed explanation

\(\lambda=\frac{1240}{1.42}=875 \mathrm{~nm}\) (આશરે)
Same subject
Explore more questions on app
From JEE Mains
Explore more questions on app