ExamBro
ExamBro
enEnglishhiहिन्दीguગુજરાતી
JEE Mains · Chemistry · STD 11 - 4. Chemical bonding and molecular structure

વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.  વિધાન : \(H_2\) ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો \((MO)\) માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.  કારણ : બંધકારક \(MO\) એ \({\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}\) છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે . 

  1. A વિધાન ખોટુ છે, કારણ સાચુ છે   
  2. B વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ  છે
  3. C વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ છે 
  4. D વિધાન અને કારણ સાચા છે અને કારણ એ વિધાનનુ સાચુ સ્પષ્ટિકરણ નથી 
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(B) વિધાન સાચુ છે, કારણ ખોટુ  છે

Step-by-step Solution

Detailed explanation

Assertion is correct but reason is incorrect. Bonding \(MO\) shows constructive interference of the combining electron oxide waves.
Same subject
Explore more questions on app
From JEE Mains
Explore more questions on app