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JEE Mains · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics

दिखाये गये परिपथ में प्रयोग किये गये दोनों डायोड़ो को आदर्श मानें तथा अग्रदिशिक (फारवर्ड) बायस में इनका प्रतिरोध नगण्य मानें। प्रत्येक डायोड का अंतरनिर्मित विभवान्तर (Built in potential), \(0.7 \,V\) है। चित्र में दिखायी गयी निवेश (input) वोल्टता के लिये बिन्दु \(A\) पर वोल्टता का मान (वोल्ट में) होगा ....।

  1. A \(18\)
  2. B \(8\)
  3. C \(12\)
  4. D \(15\)
Verified Solution

Answer & Solution

Correct Answer

(C) \(12\)

Step-by-step Solution

Detailed explanation

Diode \(D_{1}\) is forward biased and \(D_{2}\) is reverse biased. \(\therefore \mathrm{V}_{\mathrm{A}}=12.7-0.7=12\; \mathrm{V}\)
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