અર્ધવાહક \((semiconductor)\) માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો \(n-\)ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા \(10^{19}\, m^{-3}\) અને તેની મોબીલિટી \(1.6\, m^2/(V.s)\) હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... \(\Omega  m\) ની નજીક હશે. (\(n-\)ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)

Apply the relevant identity from the chapter and substitute the values established in the previous step, keeping the original constraint in view.

Use the simplified expression to isolate the unknown, then plug the result back into the question setup to confirm the working is internally consistent.

Cross-check against a boundary or limiting case. Both the dimensional balance and the qualitative behaviour at the extreme should agree with the candidate answer.

Combine the steps above to identify the correct option. The remaining choices each fail at least one of the consistency, dimensional, or boundary checks.