ExamBro
ExamBro
enEnglishhiहिन्दीguગુજરાતી
JEE Mains · Physics · STD 12 - સેમિકન્ડક્ટર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ : દ્રવ્યો, રચનાઓ અને સાદા પરિપથો
  • JEE Mains 2019
  • મધ્યમ
  • સંખ્યાત્મક

અર્ધવાહક \((semiconductor)\) માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો \(n-\)ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા \(10^{19}\, m^{-3}\) અને તેની મોબીલિટી \(1.6\, m^2/(V.s)\) હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... \(\Omega  m\) ની નજીક હશે. (\(n-\)ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)

જવાબ ચકાસવા માટે એક વિકલ્પ પસંદ કરો.
ચકાસાયેલ ઉકેલ

જવાબ અને ઉકેલ

સાચો જવાબ

(B) \(4\)

પગલાવાર ઉકેલ

વિગતવાર સમજૂતી

Use \(I = neA{v_d}\) and \(\mu  = \frac{{{v_d}}}{E}\)
એ જ વિષય
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ
JEE Mains માંથી
એપમાં વધુ પ્રશ્નો જુઓ