NEET · Physics · STD 12 - 14. Semicondutor electronics
नीचे दर्शाए गए परिपथ में धारा \(I\) है:
(सभी डायोड आदर्श और एकसमान हैं)

- A \(\frac{5}{3} A\)
- B \(\frac{5}{9} A\)
- C \(\frac{1}{3} A\)
- D \(\frac{15}{2} A\)
Answer & Solution
Correct Answer
(D) \(\frac{15}{2} A\)
Step-by-step Solution
Detailed explanation
(D) \(\frac{15}{2} A\)
दिए गए परिपथ से, 10 V बैटरी का धनात्मक सिरा समानांतर शाखाओं के बाईं ओर जुड़ा हुआ है।
इसलिए, बाईं ओर का विभव दाईं ओर की तुलना में अधिक है।
\(4 \Omega\) और \(2 \Omega\) प्रतिरोधों वाली शाखाओं में डायोड के एनोड उच्च विभव पक्ष से जुड़े हैं, इसलिए वे अग्र-अभिनत हैं और लघु परिपथ (चूंकि वे आदर्श हैं) के रूप में कार्य करते हैं।
\(3 \Omega\) और \(5 \Omega\) प्रतिरोधों वाली शाखाओं में डायोड के कैथोड उच्च विभव पक्ष से जुड़े हैं, इसलिए वे उत्क्रम-अभिनत हैं और खुले परिपथ के रूप में कार्य करते हैं।
प्रभावी परिपथ में \(4 \Omega\) और \(2 \Omega\) प्रतिरोधक 10 V बैटरी के समानांतर जुड़े हुए होते हैं।
परिपथ का समतुल्य प्रतिरोध है:
\(R_{e q}=\frac{4 \times 2}{4+2}=\frac{8}{6}=\frac{4}{3} \Omega\)\(B=\frac{-P}{\Delta V / V}=-P\left(\frac{V}{\Delta V}\right)\)
परिपथ में कुल धारा \(I\) है:
\(I=\frac{V}{R_{e q}}=\frac{10}{\frac{4}{3}}=\frac{30}{4}=\frac{15}{2} A\)
दिए गए परिपथ से, 10 V बैटरी का धनात्मक सिरा समानांतर शाखाओं के बाईं ओर जुड़ा हुआ है।
इसलिए, बाईं ओर का विभव दाईं ओर की तुलना में अधिक है।
\(4 \Omega\) और \(2 \Omega\) प्रतिरोधों वाली शाखाओं में डायोड के एनोड उच्च विभव पक्ष से जुड़े हैं, इसलिए वे अग्र-अभिनत हैं और लघु परिपथ (चूंकि वे आदर्श हैं) के रूप में कार्य करते हैं।
\(3 \Omega\) और \(5 \Omega\) प्रतिरोधों वाली शाखाओं में डायोड के कैथोड उच्च विभव पक्ष से जुड़े हैं, इसलिए वे उत्क्रम-अभिनत हैं और खुले परिपथ के रूप में कार्य करते हैं।
प्रभावी परिपथ में \(4 \Omega\) और \(2 \Omega\) प्रतिरोधक 10 V बैटरी के समानांतर जुड़े हुए होते हैं।
परिपथ का समतुल्य प्रतिरोध है:
\(R_{e q}=\frac{4 \times 2}{4+2}=\frac{8}{6}=\frac{4}{3} \Omega\)\(B=\frac{-P}{\Delta V / V}=-P\left(\frac{V}{\Delta V}\right)\)
परिपथ में कुल धारा \(I\) है:
\(I=\frac{V}{R_{e q}}=\frac{10}{\frac{4}{3}}=\frac{30}{4}=\frac{15}{2} A\)
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